詳細(xì)摘要: QTB251金屬基壓敏芯片采用MEMS工藝, 將應(yīng)變電阻直接制作在17-4PH不銹鋼基底上, 通過基底的受力彈性形變,芯片輸出與被測(cè)壓力 成線性關(guān)系的mV電壓信...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:長(zhǎng)沙市更新時(shí)間:2024-04-07 在線留言
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詳細(xì)摘要: QTB251金屬基壓敏芯片采用MEMS工藝, 將應(yīng)變電阻直接制作在17-4PH不銹鋼基底上, 通過基底的受力彈性形變,芯片輸出與被測(cè)壓力 成線性關(guān)系的mV電壓信...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:長(zhǎng)沙市更新時(shí)間:2024-04-07 在線留言詳細(xì)摘要: QTB3 5 1型金屬基壓敏芯片采用MEMS工 藝,將應(yīng)變電阻直接制作在17-4PH不銹鋼基底 上,通過基底的受力彈性形變,芯片輸出與被測(cè) 壓力成線性關(guān)系的mV...
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